در این روش جدید نوعی آلیاژ خاص متشكل از «ژرمانیوم»،«آنتی‌موان» و «تلاریوم» كه در ساخت حافظه‌های تغییر فاز كاربرد دارد،با الماس جایگزین می‌شود.
حافظه‌هایی كه به این روش ساخته می‌شوند 100 برابر سریع‌تر ازحافظه‌های فلش بـوده و تا 100 هزار بار امكان بازنویسی اطلاعات را فراهم می‌كنند.
درحال حاضرشركت«آی‌بی‌ام»وسایرشركت‌های سخت‌افزاری،این فناوری رابرای تولید تراشه‌هایی با قابلیت پنج میلیون بازنویسی مورد استفاده قرار می‌دهند.
انتظار میرود تا پنج سال آینده تمام هارد دیسک ها با استفاده از این فناوری تولید شوند و فضایی صدها برابر فضای كنونی را برای ذخیره اطلاعات با هزاران برابر سرعت فعلی آن فراهم كنند.
:: موضوعات مرتبط:
متفرقه ,
,
:: بازدید از این مطلب : 385
|
امتیاز مطلب : 3
|
تعداد امتیازدهندگان : 1
|
مجموع امتیاز : 1
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
